HN4B01JE(TE85L,F)

HN4B01JE(TE85L,F)

Número de pieza: HN4B01JE(TE85L,F)
Clasificación de productos: Matrices de transistores bipolares
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS NPN/PNP 50V 150MA ESV
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100nA (ICBO)
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Frecuencia - Transición 80MHz
  • Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 50V
  • Potencia - Máx 100mW
  • Tipo de Transistor 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 150mA
  • Paquete / Carcasa SOT-553
  • Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
  • Proveedor Dispositivo Paquete ESV