HN4C06J-BL(TE85L,F
Número de pieza:
HN4C06J-BL(TE85L,F
Clasificación de productos:
Matrices de transistores bipolares
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
TRANS 2NPN 120V 100MA SMV
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
- Frecuencia - Transición 100MHz
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 100nA (ICBO)
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Paquete / Carcasa SC-74A, SOT-753
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 100mA
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 120V
- Potencia - Máx 300mW
- Proveedor Dispositivo Paquete SMV
- Ganancia de Corriente Continua (hFE) (Mín) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
- Tipo de Transistor 2 NPN (Dual) Common Emitter