HP8KE5TB1
Número de pieza:
HP8KE5TB1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
100V 8.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSOP
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.9nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90pF @ 50V
- Potencia - Máx 3W (Ta), 20W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3A (Ta), 8.5A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 193mOhm @ 3A, 10V