HP8KE6TB1
Número de pieza:
HP8KE6TB1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 6A 8HSOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSOP
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.7nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 305pF @ 50V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 6A (Ta), 17A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 54mOhm @ 6A, 10V
- Potencia - Máx 3W (Ta), 21W (Tc)