HP8M31TB1

HP8M31TB1

Número de pieza: HP8M31TB1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 1mA
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSOP
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Potencia - Máx 3W (Ta)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V