HP8MC5TB1

HP8MC5TB1

Número de pieza: HP8MC5TB1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8HSOP
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Configuración N and P-Channel
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSOP
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
  • Potencia - Máx 3W (Ta), 20W (Tc)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 12A (Tc), 5A (Ta), 12A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90mOhm @ 4.5A, 10V, 96mOhm @ 5A, 10V