HP8S36TB
Número de pieza:
HP8S36TB
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Estado de la Pieza Not For New Designs
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tecnología -
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSOP
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Potencia - Máx 29W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 27A, 80A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 47nC @ 4.5V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6100pF @ 15V