HS8K1TB
Número de pieza:
HS8K1TB
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-UDFN Exposed Pad
- Proveedor Dispositivo Paquete HSML3030L10
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 10A (Ta), 11A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 348pF @ 15V, 429pF @ 15V