HS8MA2TCR1
Número de pieza:
HS8MA2TCR1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Potencia - Máx 2W (Ta)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5A (Ta), 7A (Ta)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete DFN3333-9DC