HT8KF6HTB1

HT8KF6HTB1

Número de pieza: HT8KF6HTB1
Clasificación de productos: FET, matrices de MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: 150V 7.0A, DUAL NCH+NCH, HSMT8,
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación 150°C (TJ)
  • Configuración 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
  • Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.4nC @ 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.5A (Ta), 7A (Tc)
  • Potencia - Máx 2W (Ta), 14W (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 214mOhm @ 2.5A, 10V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 315pF @ 75V