HT8MB5TB1
Número de pieza:
HT8MB5TB1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
40V 12A/15A, DUAL NCH+PCH, HSMT8
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1mA
- Configuración N and P-Channel
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 150pF @ 20V
- Potencia - Máx 2W (Ta), 13W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 5A (Ta), 12A (Tc), 6A (Ta), 15A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 47mOhm @ 5A, 10V, 44mOhm @ 6A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.5nC @ 10V, 16.7nC @ 10V