HT8MD5HTB1
Número de pieza:
HT8MD5HTB1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
80V 9.0A/8.5A, DUAL NCH+PCH, HSM
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Configuración N and P-Channel
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4V @ 1mA
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-HSMT (3.2x3)
- Potencia - Máx 2W (Ta), 13W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 3.5A (Ta), 9A (Tc), 3A (Ta), 8.5A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.5A, 10V, 165mOhm @ 3A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.1nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 90pF @ 40V, 720pF @ 40V