HTMN5130SSD-13
Número de pieza:
HTMN5130SSD-13
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 2.6A
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 55V
- Potencia - Máx 1.7W
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.9nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 218.7pF @ 25V