HUFA76407DK8T-F085
Número de pieza:
HUFA76407DK8T-F085
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
onsemi
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SOIC
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 250µA
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
- Potencia - Máx 2.5W
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C -
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 330pF @ 25V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.8A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 11.2nC @ 10V