IAUC60N04S6L030HATMA1
Número de pieza:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 35nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 25µA
- Configuración 2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
- Potencia - Máx 75W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 60A (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-56
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2128pF @ 25V