IAUCN04S7L028ATMA1

IAUCN04S7L028ATMA1

Número de pieza: IAUCN04S7L028ATMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET_(20V 40V)
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
  • FET Característica -
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id -
  • Disipación de Potencia (Máx.) -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
  • Vgs (Máx.) -
  • Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 100A
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-33