IAUCN08S7N019TATMA1

IAUCN08S7N019TATMA1

Número de pieza: IAUCN08S7N019TATMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET_(75V 120V(
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Disipación de Potencia (Máx.) 180W (Tc)
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
  • Paquete / Carcasa 10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-LHDSO-10-2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 175A (Tj)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.94mOhm @ 88A, 10V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.2V @ 93.4µA
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6061 pF @ 40 V