IAUCN08S7N024TATMA1
Número de pieza:
IAUCN08S7N024TATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET_(75V 120V(
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 71 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 157W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-LHDSO-10-1
- Paquete / Carcasa 10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 165A (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.44mOhm @ 83A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.2V @ 74.7µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4849 pF @ 40 V