IAUCN10S5L280DATMA1
Número de pieza:
IAUCN10S5L280DATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 23A 8TDSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 10nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.2V @ 10µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A (Tj)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-61
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 28mOhm @ 10A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 690pF @ 10V
- Potencia - Máx 38W (Tc)