IAUCN10S7L180ATMA1
Número de pieza:
IAUCN10S7L180ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IAUCN10S7L180ATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs (Máx.) ±16V
- Disipación de Potencia (Máx.) 58W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerTDFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 14µA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-34
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 39A (Tj)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 868 pF @ 50 V