IAUMN04S7N006GAUMA1
Número de pieza:
IAUMN04S7N006GAUMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET_(20V 40V)
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 7V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 134 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 193W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.6mOhm @ 100A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOG-4-1
- Paquete / Carcasa 4-PowerSFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 53A (Ta), 500A (Tj)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3V @ 105µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9224 pF @ 20 V