IAUTN08S5N012LATMA1
Número de pieza:
IAUTN08S5N012LATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 80V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 24nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 100A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-2
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 300A (Tj)
- Configuración 2 N-Channel, Common Drain, Common Source
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.3V @ 275µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 15340pF @ 40V
- Potencia - Máx 375W (Tc)