ICPB2005-1-110I
Número de pieza:
ICPB2005-1-110I
Clasificación de productos:
FETs de RF, MOSFETs
Fabricante:
Microchip Technology
Descripción:
DC-12 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
Embalaje:
Box
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Corriente nominal (amperios) 2A
- Configuración -
- Cifra de Ruido -
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje - Clasificado 28 V
- Potencia - Salida 25W
- Voltaje - Prueba 28 V
- Corriente - Prueba 250 mA
- Ganancia 9.5dB
- Frecuencia 12GHz
- Tecnología GaN HEMT