IGOT65R055D2AUMA1

IGOT65R055D2AUMA1

Número de pieza: IGOT65R055D2AUMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IGOT65R055D2AUMA1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • FET Característica -
  • Grado -
  • Calificación -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 28A (Tc)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
  • Disipación de Potencia (Máx.) 89W (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) -
  • Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.6V @ 2.6mA
  • Vgs (Máx.) -10V
  • Paquete / Carcasa 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-DSO-20-91
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.7 nC @ 3 V
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 340 pF @ 400 V