IGT65R045D2ATMA1
Número de pieza:
IGT65R045D2ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGT65R045D2ATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 38A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs -
- Disipación de Potencia (Máx.) 131W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) -
- Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Vgs (Máx.) -10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 1.6V @ 3.3mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6 nC @ 3 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 430 pF @ 400 V