IMBG65R060M2H
Número de pieza:
IMBG65R060M2H
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IMBG65R060M2H
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 148W (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 20V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 34.9A (Tc)
- Vgs (Máx.) +23V, -7V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO263-7-12
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 55mOhm @ 15.4A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 3.1mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 669 pF @ 400 V