IMDQ75R007M2HXTMA1
Número de pieza:
IMDQ75R007M2HXTMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IMDQ75R007M2HXTMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Disipación de Potencia (Máx.) 789W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 222A (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 20V
- Vgs (Máx.) +23V, -7V
- Paquete / Carcasa 22-PowerBSOP Module
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HDSOP-22
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 840 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 131.5A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 28.9mA
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 171 nC @ 18 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5922 pF @ 500 V