IMT65R033M2HXUMA1
Número de pieza:
IMT65R033M2HXUMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 312W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 68A (Tc)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-2
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 15V, 20V
- Vgs (Máx.) +23V, -7V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 34 nC @ 18 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 30mOhm @ 27.9A, 20V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 5.7mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1215 pF @ 400 V