IMT65R50M2HXUMA1
Número de pieza:
IMT65R50M2HXUMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-2
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 5.6V @ 3.7mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 62mOhm @ 18.2A, 18V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 48.1A (Tc)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 22nC @ 18V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 790pF @ 400V
- Potencia - Máx 237W (Tc)