IPB035N10NF2SATMA1
Número de pieza:
IPB035N10NF2SATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
TRENCH >=100V
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 104 nC @ 10 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 80A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4900 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A (Ta), 151A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.8V @ 113µA
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO263-3-8