IPD040N03LF2SATMA1
Número de pieza:
IPD040N03LF2SATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPD040N03LF2SATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1800 pF @ 15 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 75W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.35V @ 30µA
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO252-3-34
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Ta), 73A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.05mOhm @ 40A, 10V