IPD047N03LF2SATMA1
Número de pieza:
IPD047N03LF2SATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 71A TO-252
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO252-3
- Disipación de Potencia (Máx.) 65W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 40A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1400 pF @ 15 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 71A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.35V @ 30µA