IPD30N12S3L31ATMA2
Número de pieza:
IPD30N12S3L31ATMA2
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET_(120V 300V)
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Disipación de Potencia (Máx.) 57W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1970 pF @ 25 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO252-3-11
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 120 V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.4V @ 29µA