IPDD60R037CM8XTMA1
Número de pieza:
IPDD60R037CM8XTMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPDD60R037CM8XTMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 600 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 79 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 416W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HDSOP-10-1
- Paquete / Carcasa 10-PowerSOP Module
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 72A (Tj)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 37mOhm @ 27A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 680µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3458 pF @ 400 V