IPG16N10S461ATMA1
Número de pieza:
IPG16N10S461ATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado Automotive
- Calificación AEC-Q101
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 7nC @ 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-4
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 16A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 61mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.5V @ 9µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 490pF @ 25V
- Potencia - Máx 29W