IPG20N06S2L65AAUMA1
Número de pieza:
IPG20N06S2L65AAUMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- FET Característica Logic Level Gate
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 12nC @ 10V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 55V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 14µA
- Tipo de Montaje Surface Mount, Wettable Flank
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 65mOhm @ 15A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 410pF @ 25V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-10
- Potencia - Máx 43W (Tc)