IPM018N10NM5LF2AUMA1
Número de pieza:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPM018N10NM5LF2AUMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V, 15V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 178 nC @ 10 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOG-4-1
- Paquete / Carcasa 4-PowerSFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 15V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.45V @ 240µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14000 pF @ 50 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 349W (Tc)