IPT017N10NM5LF2ATMA1

IPT017N10NM5LF2ATMA1

Número de pieza: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 100 V
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V, 15V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 206 nC @ 10 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-1
  • Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 375W (Tc)
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 17000 pF @ 50 V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 150A, 15V
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.9V @ 280µA