IPT026N12NM6ATMA1
Número de pieza:
IPT026N12NM6ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPT026N12NM6ATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 120 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 8V, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8-1
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 115A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.6V @ 169µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6500 pF @ 60 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 23A (Ta), 224A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 283W (Tc)