IPT65R018CM8XTMA1
Número de pieza:
IPT65R018CM8XTMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPT65R018CM8XTMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 173 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 694W (Tc)
- Paquete / Carcasa 8-PowerSFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HSOF-8
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 1.48mA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 18mOhm @ 55.6A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8290 pF @ 400 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 134A (Tc)