IPTC068N20NM6ATMA1
Número de pieza:
IPTC068N20NM6ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPTC068N20NM6ATMA1
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 200 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 107 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V, 15V
- Paquete / Carcasa 16-PowerSOP Module
- Disipación de Potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 319W (Tc)
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.5V @ 251µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 7300 pF @ 100 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 15.2A (Ta), 140A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.25mOhm @ 126A, 15V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-HDSOP-16-U04