IPZA65R025CM8XKSA1
Número de pieza:
IPZA65R025CM8XKSA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IPZA65R025CM8XKSA1
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de Montaje Through Hole
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 10V
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 90A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 650 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 124 nC @ 10 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 431W (Tc)
- Paquete / Carcasa TO-247-4
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 25mOhm @ 40A, 10V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO247-4-U02
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.7V @ 1.06mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5910 pF @ 400 V