IQD009N06NM5SCATMA1

IQD009N06NM5SCATMA1

Número de pieza: IQD009N06NM5SCATMA1
Clasificación de productos: FETs individuales, MOSFETs
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Embalaje: Cut Tape (CT)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: -
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Surface Mount
  • Tipo de FET N-Channel
  • Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
  • Vgs (Máx.) ±20V
  • FET Característica -
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Grado -
  • Calificación -
  • Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
  • Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 150 nC @ 10 V
  • Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
  • Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 12000 pF @ 30 V
  • Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)
  • Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.3V @ 163µA
  • Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
  • Proveedor Dispositivo Paquete PG-WHSON-8-U02