IQD063N15NM5CGSCATMA1
Número de pieza:
IQD063N15NM5CGSCATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 150 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 8V, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4700 pF @ 75 V
- Paquete / Carcasa 9-PowerWDFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.32mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 4.6V @ 159µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 14.4A (Ta), 151A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-WHTFN-9-U02