IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Número de pieza:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Vgs (Máx.) ±16V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 110 nC @ 4.5 V
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 25 V
- Paquete / Carcasa 9-PowerWDFN
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.29mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2V @ 1.448mA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 17000 pF @ 12 V
- Disipación de Potencia (Máx.) 2.5W (Ta), 278W (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-WHTFN-9-U02