IQDH88N06LM5SCATMA1
Número de pieza:
IQDH88N06LM5SCATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 4.5V, 10V
- Paquete / Carcasa 8-PowerWDFN
- Disipación de Potencia (Máx.) 3W (Ta), 333W (Tc)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 42A (Ta), 447A (Tc)
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 0.86mOhm @ 50A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.3V @ 163µA
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 14000 pF @ 30 V
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-WHSON-8-U02
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 95 nC @ 4.5 V