IRF40H233ATMA1
Número de pieza:
IRF40H233ATMA1
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 65A (Tc)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 40V
- Paquete / Carcasa 8-PowerVDFN
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TDSON-8-4
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.9V @ 50µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 35A, 10V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 57nC @ 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2200pF @ 20V
- Potencia - Máx 3.8W (Ta), 50W (Tc)