IRF60B217
Número de pieza:
IRF60B217
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
International Rectifier
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Through Hole
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado -
- Calificación -
- Paquete / Carcasa TO-220-3
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Proveedor Dispositivo Paquete PG-TO220-3-1
- Disipación de Potencia (Máx.) 83W (Tc)
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2230 pF @ 25 V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.7V @ 50µA
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 9mOhm @ 36A, 10V