IRF60DM206ATMA1
Número de pieza:
IRF60DM206ATMA1
Clasificación de productos:
FETs individuales, MOSFETs
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
FET N-CHANNEL
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Tipo de FET N-Channel
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Máx.) ±20V
- FET Característica -
- Grado -
- Calificación -
- Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 60 V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 200 nC @ 10 V
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 130A (Tc)
- Disipación de Potencia (Máx.) 96W (Tc)
- Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido) 6V, 10V
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 3.7V @ 150µA
- Proveedor Dispositivo Paquete DirectFET™ Isometric ME
- Paquete / Carcasa DirectFET™ Isometric ME
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6530 pF @ 25 V