IRF8513TRPBF
Número de pieza:
IRF8513TRPBF
Clasificación de productos:
FET, matrices de MOSFET
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
-
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Paquete / Carcasa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO
- Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- Configuración 2 N-Channel (Dual)
- FET Característica Logic Level Gate
- Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss) 30V
- Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
- Vgs(umbral) (Máx.) @ Id 2.35V @ 25µA
- Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C 8A, 11A
- Rds On (Máx) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V
- Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 766pF @ 15V
- Potencia - Máx 1.5W, 2.4W